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    技術參數 

     

    參數 100mm/125mm/150mm/200mm
    生長方法 CZ
    摻雜劑 P,P+;Boron
      N,N+;Phos.,Sb,As
    晶向 1-0-0
      1-1-1
      1-1-0
    電阻率 P:0.001-300
      N:Phos. 0.0007-100
      Sb. 0.006-0.02
      As. 0.001-0.01
    氧含量 6-18PPMA(New ASTM)
    碳含量 0.5PPMA Max
    體金屬含量 5 * 10 atoms/cm Max
    表面金屬含量 5 * 10 atoms/cm Max
    位錯 NONE
    總平整度 2.0 Microns Max
    總厚度變化 3.0 Microns Max
    局部平整度
    (15*15 100%)
    1.0 Microns Max
    翹曲度 30 Microns Max
    彎曲度 30 Microns Max
    厚度 Target + / - 15Microns
    正面粒子數 0.3Microns 10Max/Wafer
      0.2Microns 18Max/Wafer
    硅片正面 Polished
    硅片背面 BSD/Poly/SiO2/Etched
    激光刻字 Hard/Soft laser marking

     

     

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